High Density Phase Change Memory Device And Method of Manufacturing The Same
摘要
<p>노광 한계의 제약 없이 리셋 커런트를 줄일 수 있으면서 멀티 레벨을 실현할 수 있는 고집적 상변화 메모리 장치 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 상변화 메모리 장치는, 억세스 소자를 포함하는 반도체 기판, 상기 억세스 소자 상부에 형성되는 가열 전극, 상기 가열 전극 상부에 형성되는 상변화 나노 밴드, 및 상기 상변화 나노 밴드의 양측에 형성되어 상기 상변화 나노 밴드를 지지하는 층간 절연막을 포함한다.</p>
