| 摘要 |
<p>본 발명은 본 발명은 센싱 마진을 개선하고 셀 효율을 향상시킬 수 있는 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 상변화 기억 소자는, 반도체 기판 활성 영역 상에 형성된 다수개의 다이오드와, 상기 다이오드 상에 각각 형성된 절연막 패턴과, 상기 절연막 패턴 상에 상기 다이오드와 전기적으로 연결되지 않도록 형성된 상변화막과, 상기 상변화막 상부에 형성된 비트라인 및 상기 비트라인 상부에 형성된 글로벌 로오 디코더 라인을 포함한다.</p> |
