| 摘要 |
<p>높은 온 커런트를 확보할 수 있는 상변화 메모리 소자를 개시한다. 개시된 본 발명의 상변화 메모리 소자는 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 제 1 도전형의 반도체 기판내에 형성되는 제 2 도전형 웰, 상기 제 2 도전형 웰내에 형성되는 제 1 도전형의 불순물 영역, 상기 제 1 도전형의 불순물 영역과 콘택되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 전류를 선택적으로 제공받는 상변화막을 포함하며,상기 제 2 도전형의 웰은 그라운드 전압보다는 크고 구동 전압보다 낮은 범위의 전압을 제공받는다.</p> |
