半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其具有ESD保护用的MOS晶体管，在该ESD保护用的MOS晶体管中，交替地配置有多个漏区和多个源区，在上述漏区与上述源区之间配置有栅电极，且该ESD保护用的MOS晶体管具有多个晶体管被组合成一体的结构，其中，根据漏区上的接触孔与衬底接触区之间的距离，来确定形成于漏区上的自对准金属硅化物区与栅电极之间的距离。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有ESD保护用的MOS晶体管，该ESD保护用的MOS晶体管具有：交替配置的多个漏区和多个源区；以及配置于所述漏区与所述源区之间的栅电极，且该ESD保护用的MOS晶体管具有多个晶体管形成为一体的结构，所述漏区与外部连接端子电连接，所述源区与地电位供给线电连接，所述ESD保护用的MOS晶体管离衬底接触区的距离越远，则形成于所述漏区中的自对准金属硅化物与栅电极之间的距离形成得越短。