多磁区记忆装置及磁区分割方法,申请号TW096111366-传众专利搜索

发明名称	多磁区记忆装置及磁区分割方法
摘要
申请公布号	TWI349876	申请公布日期	2011.10.01
申请号	TW096111366	申请日期	2007.03.30
申请人	力成科技股份有限公司新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號	发明人	吴智伟新竹县竹北市泰和路84号;徐宏欣新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
分类号	G06F3/06	主分类号	G06F3/06
代理机构		代理人	蔡朝安新竹市科学工业园区力行一路1号E之1
主权项	一种多磁区记忆装置，包含：一记忆卡，系包含复数个记忆单元于其内；一内接插槽，系设置于该记忆卡上；以及一跨接器，系插设于该记忆卡之该内接插槽上用以改变该记忆卡内部之一电路为一多磁区电路。
地址	新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号