| 发明名称 |
一种具无极性Ｎ型氮化铝半导性薄膜形成之异质接面发光二极体 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWM413295 |
申请公布日期 |
2011.10.01 |
| 申请号 |
TW099223074 |
申请日期 |
2010.11.25 |
| 申请人 |
安得立科技有限公司 高雄市路竹區路科五路88號2樓A01室 |
发明人 |
吴信贤;林志勋 |
| 分类号 |
H05B33/20 |
主分类号 |
H05B33/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种具无极性N型氮化铝半导性薄膜形成之异质接面发光二极体，其主要包含：一P型半导性承载基板；一无极性N型氮化铝半导性薄膜层，系形成于该P型半导性承载基板上方，其系使一种具无极性N型氮化铝半导性薄膜形成之异质接面发光二极体避免量子局促史塔克效应，更具良好散导热效果。 |
| 地址 |
高雄市路竹区路科五路88号2楼A01室 |
