| 主权项 |
一种形成一积体半导体结构的方法，包含下列步骤：提供一基板，包含具有一第一结晶方向之一基部半导体基板层，藉由一第一绝缘层分隔该基部半导体基板层与具有一第二结晶方向之一顶部半导体层，该第一结晶方向异于该第二结晶方向；形成至少一开口于该基板中，暴露该基部半导体基板层之一表面；填入一磊晶成长半导体材料于该至少一开口中，且于该基部半导体基板层之该暴露表面上，该磊晶成长半导体材料具有一结晶方向相同于该第一结晶方向；以及植入与回火以(i)形成一第二绝缘层于该磊晶成长半导体材料中，及(ii)增厚该顶部半导体层下方的该第一绝缘层。 |
