发明名称 窄体金属镶嵌三闸鳍状场效电晶体
摘要
申请公布号 TWI350002 申请公布日期 2011.10.01
申请号 TW094100703 申请日期 2005.01.11
申请人 高級微裝置公司 美國 发明人 阿姆德 希布里S 美国;汪海宏 美国;俞宾 美国
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种形成鳍式场效电晶体之方法,包括:形成鳍状物(205);在该鳍状物(205)的第一末端上形成源极区(210),并在该鳍状物(205)的第二末端上形成汲极区(215);在该鳍状物(205)、源极区(210)及汲极区(215)的上表面之上形成氧化物覆盖层(220);在形成该氧化物覆盖层(220)后,在该鳍状物(205)、源极区(210)及汲极区(215)上形成牺牲氧化物层(305);去除该牺牲氧化物层(305)以自该鳍状物(205)的表面去除瑕疵;在该鳍状物(205)之上在第一图样中形成具有第一半导电材料的假闸极(505);在该假闸极(505)的周围形成介电层(605);去除该第一半导电材料,而在该介电层(605)中留下对应于该第一图样的沟槽(705);削薄该沟槽(705)内露出的该鳍状物(205)之一部分;在该沟槽(705)内露出的该鳍状物(205)的表面上形成闸极绝缘层(910);以及在该闸极绝缘层(910)之上在该沟槽(705)内形成金属闸极(1005)。
地址 美国