| 主权项 |
一种具沟渠式矽覆绝缘层之动态随机存取记忆体装置，包括：一基板；一氧化层，覆盖该基板，具有复数个槽孔，该等槽孔大致朝一第一方向延伸；一导电半导体层，覆盖该氧化层及该等槽孔，具有一本体、一源极及一汲极，该本体覆盖该等槽孔以形成复数个导电半导体单元，该源极及该汲极分别形成于该本体之二侧边，该二侧边面大致平行该第一方向；一闸极组，具有一闸极介电层及一闸极，该闸极介电层覆盖该本体，该闸极覆盖该闸极介电层；一边衬，覆盖该闸极组之二相对侧面，该二相对侧面大致平行该第一方向；一氧化保护层，覆盖该源极、该汲极、该边衬及该闸极，其具有一第一贯孔、一第二贯孔及一第三贯孔，该第一贯孔、该第二贯孔及该第三贯孔分别形成于该闸极、该源极及该汲极之上方相对位置，以分别显露部分该闸极、部分该源极及部分该汲极；及一电极组，具有一第一电极、一第二电极及一第三电极，分别设置于该第一贯孔、该第二贯孔及该第三贯孔内，以分别电性连接该闸极、该源极及该汲极。 |
