发明名称 逻辑闸及CMOS半导体积体电路
摘要
申请公布号 TWI349979 申请公布日期 2011.10.01
申请号 TW096140691 申请日期 2007.10.30
申请人 AIL股份有限公司 日本 发明人 泷和男
分类号 H01L21/8238;H01L27/092 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种逻辑闸,系作为CMOS半导体积体电路之构成元件,该逻辑闸之功能为NAND或NOR或NOT或该3种功能的组合,其特征在于:于PMOS电晶体彼此之连接配线或该PMOS电晶体与VDD电源线间之连接配线使用第一金属配线层,且于NMOS电晶体彼此之连接配线或该NMOS电晶体与GND电源线间之连接配线亦使用该第一金属配线层,于该PMOS电晶体与该NMOS电晶体间之连接配线的全部或一部分使用第二金属配线层或多晶矽层,且于该第二金属配线层或多晶矽层具有输出端子之端子界定,再者,于该逻辑闸内部具有可收纳由第一金属配线层构成之通过配线的空间,且该通过配线朝与该PMOS电晶体及该NMOS电晶体间之该连接配线交叉的方向延伸。
地址 日本