| 发明名称 |
发光二极体元件及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI350014 |
申请公布日期 |
2011.10.01 |
| 申请号 |
TW097106036 |
申请日期 |
2008.02.21 |
| 申请人 |
廣鎵光電股份有限公司 臺中市西屯區工業區三十四路40號 |
发明人 |
洪铭煌 台南市东区崇学路230巷7号;蔡宗良 新竹市高路160巷130号3楼 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号13楼 |
| 主权项 |
一种发光二极体元件，其包括：一基底；一缓冲层，系位于该基底上方；一具第一导电性局限层，系位于该缓冲层上方；一发光层，系位于该具第一导电性局限层上方；一具第二导电性第一局限层，系位于该发光层上方；一具导电性第一接触层，系位于该具第二导电性第一局限层上方；一经图案化具第二导电性第二局限层，系位于该具导电性第一接触层上方；一经图案化具导电性第二接触层，系位于该具第二导电性第二局限层上方；一透明导电层，系位于该第二接触层上方，该透明导电层具有复数个接触穿经该第二接触层及该具第二导电性第二局限层而电性接触该第一接触层；一第一导电性电极，系位于该具第一导电性局限层上方；及一第二导电性电极，系位于该透明导电层上方。 |
| 地址 |
台中市西屯区工业区三十四路40号 |
