磁阻随机存取记忆体单元之加速寿命测试

主权项

一种记忆体，其包括：在每一交叉处皆具有一记忆体单元的数个导体列与导体行；一用于对该复数个记忆体单元之一部分进行寿命加速测试之电压应力电路，其在该记忆体之一预定列和数个所选择行处耦合至所选择记忆体单元，该电压应力电路包括一源极随耦电路部分，以控制施加在该复数个记忆体单元之该部分的一个或多个单元两端的应力电压，该源极随耦电路部分接收一参考电压并将该应力电压作为一实质恒定压力耦合至该等所选择的记忆体单元的每一者；及一模拟电路，其具有构建于一相同积体电路上作为该复数个记忆体单元之一个或多个模拟记忆体单元，该模拟电路进一步包括：一耦合至该或该等模拟记忆体单元之每一者上的源极随耦电晶体，该源极随耦电晶体由一回馈控制信号偏压；及一运算放大器，其具有：一用于接收一应力参考电压之第一输入端，一用于接收一模拟应力电压之第二输入端，该模拟应力电压由该源极随耦电晶体施加至该或该等模拟记忆体单元的每一者之两端，及一耦合至该源极随耦电晶体之输出端，该输出端提供亦用作该参考电压之该回馈控制信号。