| 发明名称 |
静态随机存取记忆体及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI349997 |
申请公布日期 |
2011.10.01 |
| 申请号 |
TW096145413 |
申请日期 |
2007.11.29 |
| 申请人 |
聯華電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 |
发明人 |
萧崇利 |
| 分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
一种静态随机存取记忆体，至少包括：多个电晶体，设置在基底上，其中每一电晶体至少包括闸极、闸极介电层、源极掺杂区与汲极掺杂区，并且前述源极掺杂区中，部份的前述源极掺杂区用以连接至Vss电压或Vdd电压；以及自行对准金属矽化层，设置于前述闸极、前述源极掺杂区与前述汲极掺杂区上，其中在前述用以连接至Vss电压、Vdd电压的源极掺杂区上未设置前述自行对准金属矽化层。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
