CELLULE MEMOIRE SRAM A QUATRE TRANSISTORS MUNIS D'UNE CONTRE-ELECTRODE

摘要

La cellule mémoire est de type SRAM à quatre transistors munis d'une contre-électrode. Elle comporte une première zone en matériau semi-conducteur (5a) avec un premier transistor d'accès (1a) et un premier transistor de conduction (2a) connectés en série, leur borne commune définissant un premier nœud électrique (F). Un second transistor d'accès (1b) et un second transistor de conduction (2b) sont connectés en série sur une seconde zone en matériau semi-conducteur (5b) et leur borne commune définit un second nœud électrique (S). Le substrat de support comprend des première et seconde contre-électrodes . Les première et seconde contre-électrodes sont respectivement en vis-à-vis des première et seconde zones en matériau semi-conducteur (5). Le premier transistor d'accès (1a) et le second transistor de conduction (2b) sont d'un premier coté d'un plan (FS) passant par les premier (F) et second (S) nœuds électriques alors que le premier transistor de conduction (2a) et le second transistor d'accès (1b) sont de l'autre coté plan (FS).