Leistungs-Mosfet mit einem verspannten Kanal in einer Halbleiter-Heterostruktur auf Metallsubstrat

摘要

Eine Feldeffekttransistorvorrichtung mit einem verspannten Halbleiterkanalbereich, der über einem Heterostruktur-Halbleiter auf einem Metallsubstrat liegt, umfasst eine erste Halbleiterschicht, die über einer ersten Metallschicht liegt. Die erste Halbleiterschicht weist ein erstes Halbleitermaterial und ein zweites Halbleitermaterial in einer entspannten Heterostruktur auf und ist stark dotiert. Eine zweite Halbleiterschicht liegt über der ersten Halbleiterschicht und weist ein erstes Halbleitermaterial und ein zweites Halbleitermaterial in einer entspannten Heterostruktur auf. Die zweite Halbleiterschicht ist schwächer dotiert als die erste Halbleiterschicht. Ein Graben erstreckt sich in die zweite Halbleiterschicht, und ein Kanalbereich weist eine verspannte Schicht aus dem ersten Halbleitermaterial benachbart zu einer Grabenseitenwand auf. Der verspannte Kanalbereich stellt eine gesteigerte Trägerbeweglichkeit bereit und verbessert das Leistungsvermögen des Feldeffekttransistors.