| 发明名称 |
Fabrication of GaN Substrate by Defect Selective Passivation |
| 摘要 |
Defect selective passivation in semiconductor fabrication for reducing defects.
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| 申请公布号 |
US2011233519(A1) |
申请公布日期 |
2011.09.29 |
| 申请号 |
US20100729698 |
申请日期 |
2010.03.23 |
| 申请人 |
ACADEMIA SINICA |
发明人 |
CHENG YUH-JEN;LO MING-HUA;KUO HAO-CHUNG |
| 分类号 |
H01L29/66;H01L21/20;H01L33/30 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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