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Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Halbleitersolarzelle (1), umfassend die folgenden Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (2) der Halbleitersolarzelle (1); Erzeugen einer Passivierungsdoppelschicht (3, 4) auf einer Oberfläche (22) des Hableitersubstrats (2), indem eine erste Dielektrikschicht (3) aus einem ersten Dielektrikmaterial auf die Oberfläche (22) des Hableitersubstrats (2) aufgebracht wird und auf die erste Dielektrikschicht (3) eine zweite Dielektrikschicht (4) aus einem vom ersten Dielektrikmaterial verschiedenen, zweiten Dielektrikmaterial aufgebracht wird; und einen weiteren Herstellungsschritt umfassend mindestens einen, zwei oder drei aus den folgenden Prozessschritten: ein Texturschritt; ein Diffusionsschritt; und ein Ätzschritt, wobei die Passivierungsdoppelschicht (3, 4) während des weiteren Herstellungsschrittes als Barriereschicht wirkt und das unmittelbar darunter liegende Halbleitersubstrat (2) schützt und wobei die Passivierungsdoppelschicht (3, 4) in der fertigen Halbleitersolarzelle (1) als Passivierungsschicht dient.
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