发明名称 |
发光二极管及其制作方法 |
摘要 |
一种发光二极管,其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料,由于金属材料具有较好的导热性能,发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中,有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。 |
申请公布号 |
CN102201426A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN201010130080.4 |
申请日期 |
2010.03.23 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
沈佳辉;洪梓健 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元,每个发光结构单元包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层,P型半导体层表面设置有P型接触电极,N型半导体层表面设置有N型接触电极,其特征在于,该发光结构单元进一步包括一凹陷部,该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层,该凹陷部内填充有金属材料,且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面,该金属材料分为相互绝缘的两部分,形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |