| 发明名称 | 一种高频晶闸管 | ||
| 摘要 | 一种高频晶闸管，包括晶闸管，单晶硅片由P+P1N1P2N2非对称结构构成，N2区的图形为渐开线图形，单晶硅片采用N型(100)晶向低阻单晶硅片，P+层由P层研磨减薄扩散后构成，P+层厚度为15μm，P层厚度为60μm。单晶硅片的造型面中，正斜角磨角角度θ1大小为：60º≤θ1≤80º，负斜角磨角角度θ2大小为：3.5°≤θ2≤4.5°。P+层端面上设有钛镍金蒸镀层，厚度分别为：Ti：0.2μm、Ni：0.5μm、Au：0.1μm。制造方法包括以下步骤：单晶硅片的双面设有扩散P层,其中一面由P层研磨减薄扩散后构成P+层；N2区光刻版图形采用渐开线插入式的放大门极结构；对单晶硅片采用扩金和对N2区光刻版图形采用电子辐照的方法控制少子寿命τP；电子束蒸发构成钛镍金蒸镀层；大角度喷砂造型。本发明提高了晶闸管的应用频率，提高产品质量、满足节能降耗的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN102201434A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201010560488.5 | 申请日期 | 2010.11.26 |
| 申请人 | 宜昌市晶石电力电子有限公司 | 发明人 | 夏吉夫;崔振森;潘福泉 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人 | 成钢 |
| 主权项 | 一种高频晶闸管，包括晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区（4）的图形为渐开线图形。 | ||
| 地址 | 443000 湖北省宜昌市西陵区绿萝路18号 | ||