发明名称 半导体功率模块的连接布置
摘要 半导体功率模块(100)包括至少两个子模块(101-106)。子模块(101-106)包括具有集电极(108)、发射极(109)和栅极(110)的至少一个相应晶体管(107)。此外,提供一种连接布置,它包括:集电极端子单元(201),适合将至少两个子模块(101-106)的集电极共同连接到外部电路组件;至少两个发射极端子单元(301-304),适合将至少两个子模块(101-106)的相应发射极(109)单独连接到外部电路组件;以及至少两个栅极端子单元(401-404),适合将至少两个子模块(101-106)的相应栅极(110)单独连接到外部电路组件。
申请公布号 CN102203941A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200980143814.8 申请日期 2009.10.29
申请人 ABB研究有限公司 发明人 D·科泰特;G·阿斯普伦;S·林德
分类号 H01L25/07(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 汤春龙;朱海煜
主权项 一种半导体功率模块(100),包括:至少两个子模块(101‑106),所述子模块(101‑106)包括具有集电极(108)、发射极(109)和栅极(110)的至少一个相应晶体管(107),以及连接布置,所述连接布置包括:集电极端子单元(201),适合将所述至少两个子模块(101‑106)的集电极共同连接到外部电路组件;至少两个发射极端子单元(301‑304),适合将所述至少两个子模块(101‑106)的相应发射极(109)单独连接到外部电路组件;以及至少两个栅极端子单元(401‑404),适合将所述至少两个子模块(101‑106)的相应栅极(110)单独连接到外部电路组件。
地址 瑞士苏黎世