在半导体器件设置中提供自对准接点的方法

摘要

一种用于沟槽电源MOSFET的自对准接点的方法，包括在衬底中贯穿淀积在氧化物层上的氮化硅掩模蚀刻沟槽，在沟槽壁上形成栅极氧化物层，施加多晶硅以填充沟槽和覆盖氮化硅掩模的表面，从氮化硅掩模的表面除去多晶硅，和施加光刻胶掩模以覆盖栅极总线的位置。还包括使形成在有源区的沟槽中的多晶硅栓塞下凹，以在多晶硅栓塞上方形成凹槽，用绝缘材料填充形成在有源区中的沟槽中多晶硅栓塞上方的凹槽，施加第四光刻胶掩模以限定在氮化物层中打开的接触窗口，并选择蚀刻氮化硅膜，留下覆盖位于有源区中的沟槽的平坦表面氧化物按钮。且采用自对准间隔操作限定电接触沟槽，并施加第五光刻胶掩模，以便对与半导体器件有源区接触的金属接点进行构图。

主权项

一种在集成MOSFET设置中提供自对准接点的方法，其特征在于，包括：提供具有第一表面的半导体衬底和形成在所述半导体衬底的所述第一表面上可接近的多个半导体器件；沿着形成在所述半导体衬底中的接触窗口的壁产生氧化物间隔器和在RIE操作中蚀刻衬底表面，以便在接触区域中形成接触沟槽；在所述接触沟槽中形成接触注入部，以便增加在接触界面处的主体阱中的掺杂剂浓度，其中源区沿着所述接触沟槽的侧壁接触；以及施加光刻胶掩膜，以用于在多晶硅栓塞被形成以填充所述接触沟槽之后隔离位于半导体器件的有源区中的多晶硅材料，和提供对位于所述半导体器件的栅极总线区域中的多晶硅栓塞的顶部的访问，其中所述多晶硅栓塞在所述栅极总线区域中的顶面与硬掩模的表面共面；其中，位于所述栅极总线区域中的多晶硅栓塞是在所述接触沟槽内形成所述多晶硅栓塞时形成的，所述硬掩模是在所述半导体衬底上形成氧化物层之后形成的。