TFT基板及其制造方法、以及具备A1配线的透明导电膜层叠基板及其制造方法、以及具备A1配线的透明导电膜层叠电路基板及其制造方法、以及氧化物透明导电膜材料

摘要

通过将含有特定金属的透明导电材料使用于透明导电膜，简化设有Al配线的层叠电路基板的制造方法。构成一种具备A1配线的透明导电膜层叠电路基板，其特征是包括：透明基板(1)；在所述透明基板(1)上设置的由Al或A1合金构成的Al配线(7)；和由以氧化铟-氧化锌-氧化锡为主成分的导电性氧化物构成且直接接合于所述A1配线(7)的透明导电膜(9)。Al配线(7)和透明导电膜(9)直接接合，在其之间没有设置势垒金属，因此可以简化制造工序。另外，由于使用特定组成的导电性氧化物，所以即使直接接合Al配线(7)，也可以将接触电阻抑制为较小的值。

主权项

一种具备Al配线的透明导电膜层叠电路基板，其特征在于，包括：透明基板；Al配线，其是在所述透明基板上设置的配线，由Al或Al合金制成；以及透明导电膜，其由以氧化铟‑氧化锌‑氧化锡为主成分的导电性氧化物构成，并直接接合于所述Al配线，以所述氧化铟‑氧化锌‑氧化锡为主成分的导电性氧化物的组成在如下范围：[In]/([In]+[Zn]+[Sn])为0.05～0.95、[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])为0.05～0.8、[Sn]/([In]+[Zn]+[Sn])为0.01～0.3，其中[In]表示铟原子数，[Zn]表示锌原子数，[Sn]表示锡原子数，以所述氧化铟‑氧化锌‑氧化锡为主成分的导电性氧化物的、以30℃的四甲基氢氧化铵(TMAH)2.4％水溶液中的Ag/AgCl标准电极为基准的电动势在‑0.6V以下。