发明名称 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法
摘要 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法,其主要步骤如下:步骤1:在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层;步骤2:在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层,或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层;步骤3:在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层;步骤4:在所沉积的N层或P层之上制备导电电极;步骤5:对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质,从而提高电池的光电转换效率。
申请公布号 CN101488560B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200910076560.4 申请日期 2009.01.07
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 张长沙;王占国;石明吉;彭文博;刘石勇;肖海波;廖显伯;孔光临;曾湘波
分类号 H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/48(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周长兴
主权项 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法,其主要步骤如下:步骤1:在透明或者非透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层;步骤2:在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层,或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层;步骤3:在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层;步骤4:在所沉积的N层或P层之上制备导电电极;步骤5:对所制备的电池进行连接、测试、封装。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号