发明名称 |
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 |
摘要 |
一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法,其主要步骤如下:步骤1:在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层;步骤2:在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层,或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层;步骤3:在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层;步骤4:在所沉积的N层或P层之上制备导电电极;步骤5:对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质,从而提高电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN101488560B |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN200910076560.4 |
申请日期 |
2009.01.07 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
张长沙;王占国;石明吉;彭文博;刘石勇;肖海波;廖显伯;孔光临;曾湘波 |
分类号 |
H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/48(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周长兴 |
主权项 |
一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法,其主要步骤如下:步骤1:在透明或者非透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层;步骤2:在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层,或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层;步骤3:在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层;步骤4:在所沉积的N层或P层之上制备导电电极;步骤5:对所制备的电池进行连接、测试、封装。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |