| 发明名称 | 具有设计的Ge分布和优化硅帽盖层的优化压缩SiGe沟道PMOS晶体管 | ||
| 摘要 | 一种半导体工艺和设备包括形成PMOS晶体管(72)，所述晶体管通过在在沟道区层中形成PMOS栅结构(34)和相关的源/漏区(38、40)之前外延生长双轴应变正向渐变的硅锗沟道区层(22)和反掺杂硅帽盖层(23)而使沟道区中的空穴迁移率增强。 | ||
| 申请公布号 | CN102203924A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200980143557.8 | 申请日期 | 2009.10.05 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 丹尼尔·G·特克莱亚布;斯里坎斯·B·萨玛维丹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陆锦华;刘光明 |
| 主权项 | 一种用于形成PMOS场效应晶体管器件的半导体制造工艺，包括：提供晶片，所述晶片包括第一半导体层；形成硅锗的压缩第二半导体层，所述硅锗的压缩第二半导体层被正向渐变为在所述第一半导体层的至少一部分上具有锗；在所述压缩第二半导体层上形成反掺杂硅的第三半导体层；以及形成上覆于所述第三半导体层的至少PMOS栅结构以限定PMOS晶体管沟道区，所述PMOS晶体管沟道区包括所述PMOS栅结构下方的所述压缩第二半导体层的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||