发明名称 半导体元件的驱动电路、以及具有驱动电路的半导体装置
摘要 本发明的目的在于提供一种驱动电路,该驱动电路谋求:表现二极管特性的半导体元件的高负载时的消耗功率降低以及驱动电路的低负载时的损失降低,其中,该二极管特性是若在栅极-源极间超过规定电压,则流过险峻的电流,并且该驱动电路还具有防止过电压、过电流、和过消耗功率的保护功能、和降低该半导体元件的损失的功能。驱动电路中的栅极控制单元(2、12、22、32)构成为:按照从对表现二极管特性的半导体元件(1)的动作状态进行检测的动作状态检测单元(4、5、6)所输入的表示半导体元件的动作状态的信号,来控制提供给半导体元件的栅极的电压或电流,其中该二极管特性是若在栅极-源极间超过规定电压,则流过险峻的电流。
申请公布号 CN102201730A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201110070258.5 申请日期 2011.03.21
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 长濑久典;中村尚幸;玉冈修二
分类号 H02M1/08(2006.01)I;H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H02M1/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体元件的驱动电路,其具备:动作状态检测单元,其对表现二极管特性的半导体元件的动作状态进行检测,其中,该二极管特性是若栅极‑源极间电压超过规定电压,则流过险峻的电流的特性;和栅极控制单元,从所述动作状态检测单元向该栅极控制单元输入表示所述半导体元件动作状态的信号,该栅极控制单元按照表示所述半导体元件的动作状态的信号,对提供给所述半导体元件的栅极的电压或电流进行控制。
地址 日本大阪府