发明名称 |
一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及应用 |
摘要 |
一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜,以玻璃衬底为基片,以ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3作为靶材原料,溅射气体为Ar气,溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化,利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO-TCO薄膜。本发明的优点是:相比于正常氢气流量下利用磁控溅射镀膜技术获得的绒面结构ZnO-TCO薄膜,利用梯度氢气流量法生长的绒面结构ZnO-TCO薄膜具有较好的透过率和较好的电学特性,且薄膜的绒面结构取得明显改善;该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池,可提高光散射作用,增加入射光程,有效降低有源层厚度,提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。 |
申请公布号 |
CN102199759A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN201110132760.4 |
申请日期 |
2011.05.20 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
陈新亮;耿新华;王斐;张德坤;魏长春;黄茜;张建军;张晓丹;赵颖 |
分类号 |
C23C14/54(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/54(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO‑TCO薄膜,其特征在于:以玻璃衬底为基片,以纯度为99.995%的ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3陶瓷靶作为靶材原料,溅射气体为Ar气,溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化,利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO‑TCO薄膜。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |