| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包括：位于衬底之上的界面层；位于所述界面层之上的栅介质层；位于所述栅介质层之上的金属栅电极层；以及至少一层吸氧层，其中所述吸氧层中金属原子与氧的结合能力高于所述吸氧层下方的叠层材料中原子与氧的结合能力。本发明通过增加至少一层吸氧层，使得界面层中的氧被吸附，从而达到减小等效氧化层厚度(EOT)，提高器件性能的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102201436A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110126554.2 | 申请日期 | 2011.05.16 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 赵梅;梁仁荣;王敬;许军 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅介质层，且在所述衬底和所述栅介质层之间形成有界面层；位于所述栅介质层之上的金属栅电极层；以及至少一层吸氧层，其中所述吸氧层中金属原子与氧的结合能力高于所述吸氧层下方的叠层材料中原子与氧的结合能力。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||