| 发明名称 | 发光二极管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含p型电极、接合基板、p型半导体层、发光层、n型半导体层、外延成长基板及n型电极。接合基板设于p型电极上。p型半导体层设于接合基板上。发光层设于p型半导体层上。n型半导体层设于发光层上。外延成长基板设于n型半导体层上，其中外延成长基板包含一开口贯穿外延成长基板。n型电极设于开口中，且与n型半导体层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102201511A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201010144359.8 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司 | 发明人 | 余国辉;卢宗宏;朱长信 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种发光二极管结构，包含：p型电极；接合基板，设于该p型电极上；p型半导体层，设于该接合基板上；发光层，设于该p型半导体层上；n型半导体层，设于该发光层上；外延成长基板，设于该n型半导体层上，其中该外延成长基板包含一开口贯穿该外延成长基板；以及n型电极，设于该开口中，且与该n型半导体层电连接。 | ||
| 地址 | 528237 广东省佛山市南海区狮山镇南海经济开发区兴业北路 | ||