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发明名称 Semiconductor structure comprising a HfSiN metal gate and method of forming the same
摘要
申请公布号 EP1836732(B1) 申请公布日期 2011.09.28
申请号 EP20050826298 申请日期 2005.12.02
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 CALLEGARI, ALESSANDRO C.;FRANK, MARTIN M.;JAMMY, RAJARAO;LACEY, DIANNE L.;MCFEELY, FENTON R.;ZAFAR, SUFI
分类号 H01L27/088;H01L21/28;H01L29/49 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
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