非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法。所述非易失性存储器包括衬底；部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括依次设置的耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；填充在所述两个分离的结构单元之间的耦合传导介质，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；位于所述结构单元外侧的衬底表面的隧道介质；位于所述隧道介质上的控制栅极，所述控制栅极与所述浮栅隔离。本发明的非易失性存储器结构简单，制作方便，有利于进一步的减小存储单元的尺寸。

主权项

一种非易失性存储器，其特征在于，包括：衬底；部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质、浮栅、支撑介质依次设置，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；耦合传导介质，所述耦合传导介质填充在所述两个分离的结构单元之间，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；隧道介质，所述隧道介质位于所述结构单元外侧的衬底表面；控制栅极，所述控制栅极位于所述隧道介质上，所述控制栅极与所述浮栅隔离。