| 发明名称 | 半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法，该制造半导体设备的方法包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的绝缘膜的层叠结构；在层叠结构的顶上形成光吸收层；以及将具有能被光吸收层吸收的波长的能量束照射在光吸收层上，并通过光吸收层中产生的热来使绝缘膜和半导体薄膜同时结晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN101308781B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200810097146.7 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 林直辉;荒井俊明 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种制造半导体设备的方法，包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的栅极绝缘膜的层叠结构；在所述层叠结构的顶上形成光吸收层；以及将具有能够被所述光吸收层吸收的波长的能量束照射在所述光吸收层上，并通过所述光吸收层中产生的热来使所述栅极绝缘膜和所述半导体薄膜同时结晶化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||