| 发明名称 | 具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有缓冲层的氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件依次由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）层叠构成顶栅结构。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。本发明结构中，缓冲层是由一氧化硅SiO构成。采用这种新型的具有缓冲层顶栅结构的氧化物TFT，可实现增较好的输出特性曲线，使其在采用氧化物薄膜晶体管的AMOLED显示电路中实现应用价值成为可能，工艺大为简化，性能更加优良。 | ||
| 申请公布号 | CN102201451A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110146477.7 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 周帆;林华平;李俊;蒋雪茵;张志林;张晓薇 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 顾勇华 |
| 主权项 | 一种具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管，其特征在于该晶体管具有由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）构成顶栅结构。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||