非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法

摘要

非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10-4Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，用纯度为5N的高纯Ar气为溅射工作气体，用载玻片为衬底材料，采用单靶常规溅射技术、三靶间歇式溅射技术或者二靶连续间歇式溅射技术，分别实现非晶态CdTe薄膜的制备。本发明具有工艺可控性强，生产成本低，易于工业化规模生产的优点，能在较低的室温条件下实现非晶态CdTe薄膜的制备，制备的非晶态CdTe薄膜粘附性好，膜质均匀致密。

主权项

非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于：在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10‑4Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，用纯度为5N的高纯Ar气为溅射工作气体，用载玻片为衬底材料，放入溅射生长室，其步骤是：(1)向磁控溅射生长室充入Ar气至真空度为1.0Pa～10Pa；(2)开启溅射源，起辉稳定后，调节溅射功率8W～15W(相当于功率密度0.28W/cm2～0.53W/cm2)；(3)将作为衬底的处于非溅射靶位正上方的载玻片移至溅射靶位正上方，溅射沉积CdTe膜层，沉积时间为0.2～2小时；(4)溅射沉积结束时，先转动衬底转盘，移开衬底至非溅射靶位，再关闭溅射电源，得到非晶态CdTe薄膜。