一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法

摘要

本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以及发射极金属；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs基区；利用Hcl腐蚀液腐蚀掉InP集电区；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs内切辅助层，适当增大腐蚀时间以造成内切；利用Hcl腐蚀液腐对InP集电区进行二次腐蚀；利用丙酮和乙醇去除基极金属和发射极金属上覆盖的光刻胶；优点：有效增大磷化铟双异质结双极型晶体管集电区的内切，从而减小B-C结电容。

主权项

一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B‑C结电容方法，其特征是该方法包括以下步骤：一、光刻发射极图形，蒸发金属并进行剥离，以形成发射极，其中光刻工艺所采用的光刻胶为AZ7908，蒸发工艺所采用的金属为Ti/Pt/Au；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区，所采用的腐蚀液Hcl腐蚀液，Hcl腐蚀液的重量比为Hcl:H2O=1:1；光刻基极图形，蒸发金属并进行剥离，以形成基极，其中光刻工艺所采用的光刻胶为AZ7908，蒸发工艺所采用的金属为Ti/Pt/Au；二、光刻基极台面图形，所采用的光刻胶为AZ6517，胶厚2μm，旨在利用光刻胶保护住基极金属和发射极金属，以便在后续腐蚀步骤中对以上两层金属加以保护；三、利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs基区，其中H3PO4和H2O2的混合腐蚀液的重量比，H3PO4:H2O2:H2O=1:1:10；四、利用Hcl腐蚀液腐蚀掉InP集电区，其中Hcl腐蚀液的组分重量比为Hcl:H2O=1:1；五、利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs内切辅助层，并增大腐蚀时间以增大侧向腐蚀形成内切，其中H3PO4和H2O2的混合腐蚀液的组分重量比为：H3PO4:H2O2:H2O=1:1:10；六、利用Hcl腐蚀液腐对InP集电区进行第二次腐蚀，其中Hcl腐蚀液的组分为Hcl:H2O=1:1；七、利用丙酮和乙醇去除基极金属和发射极金属上覆盖的光刻胶。