发明名称 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法
摘要 本发明公开了采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法,该方法采用中频感应炉,按一定质量比加入硅和铝,高温熔炼搅拌均匀,得到硅铝混合熔液,熔融状态的铝对硅中杂质具有较强吸附作用,通入氧气,使铝及杂质氧化成渣,分离后定向凝固,达到提纯硅的目的。多次氧化造渣和定向凝固后提纯效果更加明显。
申请公布号 CN101712474B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200910306736.0 申请日期 2009.09.08
申请人 南安市三晶阳光电力有限公司 发明人 郑智雄;张伟娜;林霞;戴文伟;胡满根;马殿军;赵志跃;南毅;王文静
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人 张松亭
主权项 一种制备太阳能级高纯硅的方法,其步骤为:a、采用中频感应炉,按质量比Si∶Al=5∶1~20∶1加入硅和铝,加热至1600~2000℃将硅铝混合物完全熔解并搅拌均匀,保温3~30h,得到硅铝混合熔液;b、将步骤a所得的铝硅混合熔液倒入精炼炉,通入氧气10~20kg/h,使铝氧化成渣,漂浮在硅溶液表面;c、将固态氧化铝渣从硅溶液表面分离;d、将去除氧化铝渣的硅液倒入一定向凝固装置中进行定向凝固分凝;e、定向凝固冷却后将硅锭取出后去皮和去除顶部杂质富集部分,成为半成品硅锭;f、半成品硅锭再投入中频感应炉进行二次熔解,之后重复b~e中的吹氧造渣,去渣,定向凝固,去皮及去除顶部杂质富集部分步骤,得到成品硅锭。
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