具有鳍片的半导体器件的形成方法及其结构

摘要

本发明涉及一种形成半导体器件的方法，包括提供半导体层(12)，在半导体层之上形成钝化层(20)，其中该钝化层具有带侧壁的开口(24)，在半导体层之上形成鳍片(16)，其中在形成钝化层之后鳍片是在开口内的，以及在开口内形成栅极的一部分。在一个实施方案中，使用了伪栅极(52)。在一个实施方案中，隔离物(28、56)被形成于钝化层的开口内，还讨论了结构。

主权项

一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体层；在半导体层之上形成钝化层，其中该钝化层具有带侧壁的开口；在半导体层之上形成鳍片，其中在形成钝化层之后，该鳍片处于开口内；在开口内形成栅极的一部分；以及形成沿着开口的侧壁的隔离物。