在工作区中局部提供嵌埋应变诱导半导体材料以调整形成于同一工作区中的晶体管的驱动电流

摘要

形成于同一工作区中的下拉晶体管和通道晶体管的驱动电流能力可基于不同的应变水平进行调整，该不同的应变水平通过在该工作区中提供至少一嵌埋半导体合金实现，以使该工作区具有简化的总体几何组态。因此，可基于最小沟道长度以及具有简化组态的该工作区形成静态RAM单元，从而避免传统上通过显着变更晶体管宽度调整该下拉晶体管和通道晶体管之驱动电流比例的复杂器件中常见的严重产量损失。

主权项

一种方法，包括：在形成于半导体器件的基板上方的工作区中及上方形成第一晶体管，该第一晶体管具有第一导电类型；在该工作区中及上方形成第二晶体管，该第二晶体管具有该第一导电类型；以及在该第一晶体管和该第二晶体管的至少其中一者中提供第一嵌埋半导体合金和第二嵌埋半导体合金的至少其中一者，以调整该第一晶体管和该第二晶体管的驱动电流能力的比例，从而在该第一晶体管的第一沟道区和该第二晶体管的第二沟道区中诱发不同的应变水平。