一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法

摘要

一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10-4Pa；向真空腔体内通入工作气体，并将气体流量设定为4.0sccm～5.0sccm之间，工作压力设定为1.5×10-2Pa～2.0×10-2Pa；设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗，清洗时间为30s～60s。本发明能显著改善钝化膜与光敏元之间以及上电极与光敏元之间的附着力，提高非晶碲镉汞红外探测器的成品率。

主权项

一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于包括以下具体步骤：(1)在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10‑4Pa；(2)向真空腔体内通入工作气体，并将气体流量设定为4.0sccm～5.0sccm之间，工作压力设定为1.5×10‑2Pa～2.0×10‑2Pa；(3)设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；(4)升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗，清洗时间为30s～60s。