发明名称 |
一种电容 |
摘要 |
本发明提供一种电容,其包括形成于第一层上的相互间隔的第一导电部和第二导电部,形成于第二层上的相互间隔的第三导电部和第四导电部,形成于第三层上的相互间隔的第五导电部和第六导电部;其中位于中间层的第三导电部和第四导电部的厚度很厚可以形成很大的相对面积,在中间层上产生很大的电容,大大的增加了电容值,从而在单位晶圆面积上提高了电容密度。 |
申请公布号 |
CN102201408A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN201010132950.1 |
申请日期 |
2010.03.24 |
申请人 |
北京中星微电子有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
H01L27/08(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/08(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种芯片上电容,所述芯片包括有多个层,其特征在于,其包括:形成于第一层上的相互间隔的第一导电部和第二导电部;形成于第二层上的相互间隔的第三导电部和第四导电部;形成于第三层上的相互间隔的第五导电部和第六导电部;其中,第一层、第二层和第三层是芯片上的连续的三个层,第一导电部与第三导电部至少部分重叠且相互电性连接,所述第三导电部与第五导电部至少部分重叠且相互电性连接,第一导电部、第三导电部和第五导电部的投影图形相同,第二导电部与第四导电部部分重叠且相互电性连接,所述第四导电部与第六导电部部分重叠且相互电性连接,第二导电部、第四导电部和第六导电部的投影图形相同。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |