PMOS存储单元及由其构成的PMOS存储单元阵列

摘要

本发明揭露由两个晶体管组成的PMOS存储单元及由其所构成的PMOS存储单元阵列，所述PMOS存储单元的其中一个PMOS具有选择栅极，另一个PMOS具有浮置栅极。上述存储单元中与浮置栅极重叠的控制栅极，其是由位于绝缘结构上的多晶硅层所构成。

主权项

一种由两个晶体管组成的PMOS存储单元，其特征在于，该PMOS存储单元至少包含：一选择PMOS，该选择PMOS的一源极与一漏极是分别由位于一N井中的一第一掺杂区与一第二掺杂区所构成；一浮置PMOS，该浮置PMOS的一源极与一漏极是分别由位于该N井中的该第二掺杂区与一第三掺杂区所构成；以及一控制栅极，其是由位于一绝缘结构上的一第一多晶硅层所构成，且该控制栅极与该浮置栅极的延伸部分重叠。