发明名称 聚芳醚酮/碳纳米管高介电性能复合材料及其制备方法
摘要 本发明属于聚合物基纳米复合材料及其制备的技术领域,特别涉及具有高介电性能的聚芳醚酮/碳纳米管复合材料及其制备方法。复合材料是由功能化聚芳醚酮和碳纳米管组成,按两者体积分数和为100%计算,碳纳米管占0.5~20%,其余为功能化聚芳醚酮。具体是利用碳纳米管(未修饰的碳纳米管和羧酸修饰的碳纳米管)作为改性填充材料,功能化聚芳醚酮(磺化聚芳醚酮、氨基功能化聚芳醚酮及氰基功能化聚芳醚酮)作为基体材料,通过溶液共混的方法,制备高介电性能的功能化聚芳醚酮/碳纳米管复合材料,同时解决了介电损耗高及填充量过高加工性能下降等问题。
申请公布号 CN101792588B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201010107719.7 申请日期 2010.02.10
申请人 吉林大学 发明人 王贵宾;刘晓;张云鹤;姜振华
分类号 C08L71/10(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K7/00(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I 主分类号 C08L71/10(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 张景林;刘喜生
主权项 1.聚芳醚酮/碳纳米管高介电性能复合材料,其特征在于:由功能化聚芳醚酮和碳纳米管组成,按两者体积分数和为100%计算,碳纳米管占0.5~20%,其余为功能化聚芳醚酮;功能化聚芳醚酮为氨基功能化聚芳醚酮,氨基功能化聚芳醚酮的结构式如下所示,<img file="FSB00000565007700011.GIF" wi="1912" he="271" />其中x<sub>2</sub>/y<sub>2</sub>为100/0~10/90;碳纳米管为羧酸修饰的碳纳米管。
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