发明名称 |
发光器件、发光器件封装以及照明系统 |
摘要 |
本发明公开了发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括:衬底;发光结构,该发光结构包括被形成在基板上使得暴露第一导电半导体层的一部分的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;介电层,该介电层从第二导电半导体层的顶表面形成到第一导电半导体层的暴露的顶表面;在第二导电半导体层上的第二电极;以及第一电极,该第一电极在第一导电半导体层的暴露的顶表面上同时接触第二导电半导体层上的介电层的一部分。 |
申请公布号 |
CN102201517A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN201110041662.X |
申请日期 |
2011.02.18 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
黄盛珉 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底;发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层形成在所述衬底上从而暴露所述第一导电半导体层的一部分;介电层,所述介电层从所述第二导电半导体层的顶表面形成到所述第一导电半导体层的暴露的顶表面;第二电极,在所述第二导电半导体层上;以及第一电极,所述第一电极在所述第一导电半导体层的暴露的顶表面上同时接触所述第二导电半导体层上的介电层的一部分。 |
地址 |
韩国首尔 |