| 发明名称 | 半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片，该半导体晶片包括：第一半导体芯片区，形成有一半导体元件；第二半导体芯片区，形成有一半导体元件；以及划片区，夹在第一半导体芯片区和第二半导体芯片区之间；其中：第一半导体芯片区包括第一金属环，该第一金属环环绕形成在第一半导体芯片区中的该半导体元件；第一金属环由多个金属层构成，多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或位于第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在下侧金属层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102201394A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110049434.7 | 申请日期 | 2011.02.28 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 吉泽和隆;江间泰示 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体晶片，包括：第一半导体芯片区，形成有一半导体元件；第二半导体芯片区，形成有一半导体元件；以及划片区，夹在所述第一半导体芯片区和所述第二半导体芯片区之间；其中：所述第一半导体芯片区包括第一金属环，该第一金属环环绕形成在所述第一半导体芯片区中的该半导体元件；所述第一金属环由多个金属层构成，所述多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或以所述第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁相对于该下侧金属层的外部侧壁位于所述第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在所述下侧金属层上方。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||