高介电常数栅介质场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种高介电常数栅介质场效应晶体管，以及所述场效应晶体管的制作方法。其中所述高介电常数栅介质场效应晶体管包括单晶硅片衬底、导电沟道、栅介质、栅极、源极和漏极，所述栅介质是掺钛的氧化铪，所述栅极是在栅介质薄膜上溅射TiN或TiAlN作为栅极。本发明将45nm及以下节点的高介电常数栅介质、金属栅极和Cu互连金属等材料整合到了器件之中，采用了剥离工艺很大程度地减少了工艺流程，解决了Cu刻蚀困难的问题。所得器件具有优秀的输出特性，而且工作电压较低，能满足芯片制造的应用。

主权项

一种高介电常数栅介质场效应晶体管，包括单晶硅片衬底、导电沟道、栅介质、栅极、源极和漏极，其特征在于所述栅介质是高介电常数薄膜，所述高介电常数薄膜为掺钛的氧化铪，所述栅极是金属合金。