一种提高发光效率的发光二极管

摘要

一种提高发光效率的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的发光结构。发光结构的一端设置P型电极，与P型电极相对的另一端设置N型电极。其结构特点是，所述N型电极下方设有刻蚀孔，刻蚀孔侧壁设置SiO2保护层。本实用新型可以有效提高发光效率，提升芯片的质量和性能，具有工艺简单，适宜大量生产的特点。

主权项

一种提高发光效率的发光二极管，它包括衬底（1）上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的发光结构（2），发光结构（2）的一端设置P型电极，与P型电极相对的另一端设置N型电极（7），其特征在于，所述N型电极（7）下方设有刻蚀孔（3），刻蚀孔（3）侧壁设置SiO2保护层（5）。