发明名称 用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线
摘要 本发明涉及用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线。在一个实施例中,将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列中的相邻部分被取向成使得所述相邻部分的第一个中的晶体管段的长度沿第一方向延伸,并且所述相邻部分的第二个中的晶体管段的长度沿第二方向延伸,所述第一方向基本正交于所述第二方向。要强调的是,提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。
申请公布号 CN102201344A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201110119758.3 申请日期 2008.02.18
申请人 电力集成公司 发明人 V·帕塔萨拉蒂
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 李晓冬
主权项 一种制备晶体管的方法,所述晶体管包括:衬底;被组织成多个部分的多个晶体管段,每个晶体管段具有长度和宽度,每个部分的晶体管段沿长度被设置成并排关系,所述部分被设置成行和列,每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿第一和第二横向交替对准,第一横向基本垂直于第二横向,每个晶体管段包括:半导体材料柱,所述柱具有设置在衬底的顶表面处或附近的源极区以及本体区,分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域,所述第一介电区域由所述柱横向包围,并且所述第二介电区域横向包围所述柱,分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板,分别设置在邻近所述本体区的所述柱的顶部处或附近的第一和第二介电区中的第一和第二栅极元件;第一金属层,其包括耦合到每个晶体管段的源极区的源极汇流排;以及耦合到每个晶体管段的第一和第二栅极元件的栅极汇流排,所述方法包括利用单金属层工艺来制作所述栅极汇流排,所述栅极汇流排和源极汇流排被设置在相同的平坦水平面上。
地址 美国加利福尼亚州