低温接收放大器以及放大方法

摘要

一种低温接收放大器(100)，在极低温的环境下，将氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)(110)作为放大元件来使用，其包括：输入匹配电路(120)，进行放大元件的栅极和输入端子(T1)的外部之间的阻抗匹配；栅极偏置电路(130)，对放大元件的栅极施加直流电压；输出匹配电路(140)，进行放大元件的漏极和输出端子(T2)的外部之间的阻抗匹配；以及漏极偏置电路(150)，对放大元件的漏极施加直流电压。此外，将冷却温度设为150K以下较好。也可以对GaN HEMT(110)照射蓝色LED。

主权项

一种低温接收放大器，在150K以下的极低温的环境下所使用，其包括：作为放大元件的氮化镓高电子迁移率晶体管；输入匹配电路，进行所述放大元件的栅极和所述低温接收放大器的输入端子的外部之间的阻抗匹配；栅极偏置电路，对所述放大元件的栅极施加直流电压；输出匹配电路，进行所述放大元件的漏极和所述低温接收放大器的输出端子的外部之间的阻抗匹配；漏极偏置电路，对所述放大元件的漏极施加直流电压；以及对所述氮化镓高电子迁移率晶体管照射至少包括相当于氮化镓的带隙的波长的光分量的光的光照射部件。