| 发明名称 | 制造具有通过纳米线接触的导电材料层的电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的电子器件(100)包括电阻率可在第一值和第二值之间切换的存储材料层(107)。存储材料可以是相变材料。该电子器件(100)还包括一组纳米线(NW)，电连接该电子器件(100)的第一端子(172)与存储材料层(107)，从而使得能够从第一端子通过纳米线(NW)和存储材料层(107)向电子器件的第二端子(272)传导电流。每一纳米线(NW)在各自的接触面积与存储材料层(107)电接触。所有接触面积实质上相同。根据本发明的方法适于制造根据本发明的电子器件(100)。 | ||
| 申请公布号 | CN101010793B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200580028778.2 | 申请日期 | 2005.06.28 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 罗伯茨·T·F·范沙吉克;普拉哈特·阿佳维;埃里克·P·A·M·贝克斯;马特吉·H·R·兰赫斯特;米哈依尔·J·范杜里恩;亚伯拉罕·R·贝尔克南德;路易斯·F·费尼尔;皮埃尔·H·沃尔里 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造电子器件(100)的方法，所述电子器件包括：导电材料层(107)，和与导电材料层(107)电连接的一组纳米线(NW)，用于通过纳米线(NW)向导电材料层(107)传导电流，每一纳米线(NW)在各自的接触表面与导电材料层(107)电接触，所有接触表面具有实质上相同的表面面积，所述方法包括如下步骤：设置具有一组预制纳米线(NW)的基体(102)，对该组预制纳米线(NW)进行材料去除处理，用于获得该组纳米线，其中每一纳米线具有它们各自露出的接触表面，以及向纳米线(NW)设置导电材料层(107)，从而将每一纳米线(NW)在各自的接触表面与导电材料层(107)电接触。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||