| 发明名称 | 化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械抛光方法，包括两个研磨步骤，包括两个研磨步骤，第一步，以晶圆速率与研磨垫速率的比值在1∶0.9至1∶1.1的范围条件下进行研磨；第二步在晶圆速率与研磨垫速率的比值在5∶1至20∶1的范围条件下进行研磨。本发明通过在主研磨之后加入一步增大晶圆对研磨垫的相对转速的步骤，使晶圆相对研磨垫的线速沿半径方向增加，从而使晶圆上各点的研磨速率沿中心向周边提高，提高晶圆残膜的面内均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN101456150B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200710094429.1 | 申请日期 | 2007.12.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 程晓华;方精训 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括两个研磨步骤，第一步，以晶圆速率与研磨垫速率的比值在1∶0.9至1∶1.1的范围条件下进行研磨；第二步在晶圆速率与研磨垫速率的比值在5∶1至20∶1的范围条件下进行研磨。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||