发明名称 发光二极管
摘要 本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括一个发光二极管芯片,至少一个填充层及至少一个透光保护层。该发光二极管芯片具有至少一个出光面,该发光二极管芯片由该至少一个出光面发出第一色光。该至少一个填充层覆盖该至少一个出光面的第一部分区域且包含有第一荧光粉,该第一荧光粉在该第一色光的激发下发出不同于该第一色光的第二色光。该至少一个透光保护层覆盖该至少一个出光面的未被填充层覆盖的第二区域及所述至少一个填充层。该发光二极管芯片具有由其至少一个出光面向发光二极管芯片内开设的至少一个凹槽,该至少一个填充层填充在该至少一个凹槽中。所述发光二极管采用一个发光二极管芯片达到发出彩色光的目的。
申请公布号 CN101752483B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200810306251.7 申请日期 2008.12.15
申请人 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 发明人 赖志铭;江文章
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,其包括:一个发光二极管芯片,其具有至少一个出光面,该发光二极管芯片由该至少一个出光面发出第一色光;至少一个填充层,其覆盖该至少一个出光面的第一部分区域且包含有第一荧光粉,该第一荧光粉在该第一色光的激发下发出不同于该第一色光的第二色光;及至少一个透光保护层,其覆盖该至少一个出光面的未被所述至少一个填充层覆盖的第二区域及所述至少一个填充层;该发光二极管芯片具有由其至少一个出光面向发光二极管芯片内开设的至少一个凹槽,该至少一个填充层填充在该至少一个凹槽中。
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